Samsung Electronics mantiene su liderazgo en la tecnología de memoria avanzada al anunciar el desarrollo del primer LPDDR5X DRAM de la industria, capaz de alcanzar un rendimiento de hasta 10.7 gigabits por segundo (Gbps). Este avance marca un hito significativo, ya que promete un desempeño superior en un 25%, una capacidad un 30% mayor y una eficiencia energética mejorada en un 25% en comparación con la generación anterior.
La nueva memoria LPDDR5X de Samsung, utilizando tecnología de proceso de clase de 12 nanómetros (nm), ha logrado el tamaño de chip más pequeño entre los LPDDRs existentes, reforzando así su posición de liderazgo en el mercado de DRAM de bajo consumo.
YongCheol Bae, Vicepresidente Ejecutivo de Planificación de Productos de Memoria de Samsung Electronics, subrayó: ?A medida que aumenta la demanda de memorias de alto rendimiento y bajo consumo, se espera que la LPDDR DRAM expanda sus aplicaciones más allá del ámbito móvil hacia áreas que tradicionalmente requieren mayor rendimiento y fiabilidad, como PCs, aceleradores, servidores y automóviles?. Bae añadió que Samsung continuará innovando y ofreciendo productos optimizados para la era de la inteligencia artificial en dispositivos, mediante una colaboración estrecha con sus clientes. La creciente importancia de la inteligencia artificial en dispositivos, que permite el procesamiento directo en los mismos, resalta la necesidad de memorias LPDDR de alto rendimiento y bajo consumo. El nu...